mos管起动电压（mos管开启电源电压瞬间拉低）
本文目录一览：
MOS管如何使用?
1、在焊接时，务必确保烙铁接地，且遵循正确的焊接顺序和温度控制，以防止损坏。对于VMOS管，须配备适当散热器，且并联使用时需注意寄生振荡问题。 输入阻抗的稳定性和防潮措施对于MOS管的性能至关重要，特别是对于温度敏感的器件。四引脚MOS的基板引线应接地，光敏封装应避免光照。
2、使用有寄生二极管的P沟道MOS管，S的电压要高于D的电压，原因同上。下面是MOS管的导通条件，只要记住电压方向与中间箭头方向相反即为导通（当然这个相反电压需要达到MOS管的开启电压）。比如导通电压为3V的N沟道MOS管，只要G的电压比S的电压高3V即可导通（D的电压也要比S的高）。
3、可以。如果要工作在开关状态，就必须使得MOS管处于可变电阻区和夹断区。
4、MOSFET开启电压5V的话，需要栅极电压高于源级电压5V才能导通，就是说如果源级电压是12V，栅极电压要12+5=17V才能导通。这个说的对。Vgs是mos栅极和源极之间所能加的最大电压，超过就击穿了，所以一般是±20V，使用时不能超过。和上一问一样，只有栅极和源极接正向电压才能导通，而且不能超过20V。
5、电脑主板的MOS管有很多，散布在CPU附近。在笔记本主板上用到的MOS可简单分作两大类：信号切换用MOS管： UG比US大3V---5V即可，实际上只要导通即可，不必须饱和导通。比如常见的：2N7002，2N7002E，2N7002K，2N7002D，FDV301N。
6、改变栅压可以改变沟道中的空穴密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。
关于mos管的开启电压问题
最大20瓦，最小12瓦。根据查询国家标准《安全电压》信息显示，mos管的导通起控电压为2到4瓦，GS极之间最高电压不能超过20瓦，GS两极之间接入最低12到15瓦，所以mos管开启电压最大值为20瓦，GS最小值为12瓦。
是的，G极的电压需要2-4V之间。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。在对称的MOS管中，对source和drain的标注有一点任意性，载流子流出source，流入drain。
开启电压是指MOS由阻断到开始导通的最低门极电压，一般是3~5伏，导通电阻随门极电压的升高而减小。此管门极电压必须小于20V。
区别一下）要想让mos管工作在饱和状态，那么你先要给定一个 vds ，这个肯定是已知的 就是你的供电电压 vcc 我猜你这个应该是vds 是10到12v 我们看图上 当vds=10v的时候 只有当 ugs 约大于9v之后，交点才在mos管的可变电阻区（饱和区） 所以说 要9v以上 才能让管子完全导通。
由于MOS管的开闭时间非常短，因此其输出电压的改变频率较高，更容易产生交变电压。这种现象的频率一般在几十kHz到几百MHz范围内，并会在电路中产生EMI（电磁干扰）噪音。为了降低这种干扰，可以采取一些措施，如增加MOS管的抑制电路、优化电路布局等，来避免或减少MOS管开关产生的交变电压的影响。
耗尽型mos管的开启电压一般小于零对吗
1、耗尽型mos管的开启电压一般小于零对吗 对的 问题的实质是：增强型MOS管的栅源电压也可以为0或负，只是这些情况与栅源电压未达到开启电压之前是完全一样的：截止。
2、PMOS的值不同。（1）、增强型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面没有沟道存在，也就是说，对于NMOS，阈值电压大于0；PMOS，小于0。（2）、耗尽型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面已有沟道存在，也就是说，对于NMOS，阈值电压小于0；PMOS，大于0。原理不同。
3、从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。
4、当栅极（G）的电压比漏极的电压（D）小5V以上（有的管子可以更低），管子就开始导通，压差越大，G和S（源极）之间的电阻就越小，损耗也就越小，但是不能太大。还有一件事情就是G和S之间的最大耐压，元器件手册上有说明。最后就是G和S之间容许通过的最大电流，这个元器件手册上写的也很清楚。
5、~ -2V之间。N沟道增强型：当UgsUgs（th）时，开启。这个Ugs（th）是一个正数值，最常见的是在2V ~ 4V之间。耗尽型的管子比较少见。P沟道耗尽型：当UgsUgs（off）时导通，这个Ugs（off）是一个正数值。N沟道耗尽型：当UgsUgs（off）时导通，这个Ugs（off）是一个负数值。
6、首先，它们的栅极电压特性不同。增强型MOS管（PMOS）在栅极与衬底间未加电压时，不存在导电沟道，其阈值电压小于0；而耗尽型NMOS则相反，即使不加电压，栅极下方已存在沟道，阈值电压大于0。
