igbt导通电压与开启电压（igbt的导通）

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IGBT的导通和截止条件是什么?

IGBT导通和截止条件是：开通和关断由栅极和发射极间的电压uGE决定，当uGE为正，且大于开启电压UGE（th）时，IGBT就可以导通； 当栅极与发射极间施加反向电压或者不加信号时，IGBT就被关断。

IGBT是场控器件，它的开通和关断由栅极和发射极间的电压uGE决定，当uGE为正，且大于开启电压UGE（th）时，IGBT就可以导通；当栅极与发射极间施加反向电压或者不加信号时，IGBT就被关断。

开关管上（三极管、MOS管、IGBT）压降小于0.3V时为导通；开关管上（三极管、MOS管、IGBT）压降接近电源电压时为截止。

IGBT，既具备了CMOS管的高输入电阻，又具备了双极型晶体管的低导通压降。如果想正常可靠工作，不能使用脉冲。应该是：G-S加正电压导通，G-S加负电压截止。

IGBT的等效电路如图1所示。由图1可知，若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。

IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种半导体器件，其工作与驱动电流密切相关。驱动电流是用于控制IGBT的开关状态（导通或截止）的电流。IGBT的导通需要施加门极电压，这通常通过一个外部的驱动电路来实现。驱动电路产生足够的驱动电流，以确保IGBT能够快速、可靠地开启或关闭。

IGBT的导通和截止的条件是什么?

IGBT导通和截止条件是：开通和关断由栅极和发射极间的电压uGE决定，当uGE为正，且大于开启电压UGE（th）时，IGBT就可以导通； 当栅极与发射极间施加反向电压或者不加信号时，IGBT就被关断。

IGBT是场控器件，它的开通和关断由栅极和发射极间的电压uGE决定，当uGE为正，且大于开启电压UGE（th）时，IGBT就可以导通；当栅极与发射极间施加反向电压或者不加信号时，IGBT就被关断。

导通条件：正极电压大于负极电压 ，有触发脉冲。两个条件缺一不可。截止条件：正极电压低于负极电压或是低于维持维持电流就关断。

导通条件：阳极加高电压，阴极加低电压，只有阳极的电压高于阴极的电压，然后在门极加出发电压就可导通。关断条件：在直流电路中可控硅一旦导通，门极就失去作用关断的条件是正负极电压消失或阴极电压高于阳极。

硅管比锗管的开启电压大的原因

1、该电场强度与本征载流子浓度成相反函数关系，锗材料由于原子半径大，束缚外围电子能力差，因而本征载流子浓度大于硅材料，导致内建电场强度小于硅。若想要PN结导通，外施正向电压形成的场强大小必须首先要能够克服该内建电场，对于硅材料，克服该电场需要0.6-0.8伏，对于锗材料克服该电场需要0.1-0.3伏。

2、电阻不同，电流不同。根据查询知乎网显示。电阻不同：在相同电流下，锗管的直流电阻小于硅管的直流电阻。硅管的交流电阻小于锗管。电流不同：在反向电压下，硅管的漏电流远小于锗管。开启后，锗管电流增加缓慢而硅管电流增加较快，硅二极管的反向电流远小于锗二极管。

3、在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通处于“死区”状态，当正向电压超过一定数值后，管子才导通，此时的电压为“导通电压”。电压再稍微增大，电流急剧暗加。

4、和基板与渗入材质有关，也就是PN节材质，比如锗管是0.3V，硅管0.7V。

5、三极管PNP可能为锗管，其开启门限电压表很低，0.1-0.2V就会进入放大区 ，另外测量电压的电压表灵敏度低也会影响实验过程∴表现为只要基极电压低于发射极时，管子就会导通，基极大于等于发射极电压时管子截止。

在半导体中导通电压与开启电压有啥区别

在半导体中导通电压与开启电压有啥区别：（1）昌体管变改基极电压、电流可以改变集电极与发射极之间的电流变化。（2）硅三极管的基极电压低于0.7V，晶体管趋于截止状态集电极与发射极之间的电阻保持无穷大。基极电压到0.7V，这时集电极与发射极开始导通，这基极这一电压特性叫晶体管的开启电压。

开启电压，一般称为导通电压。半导体器件导通时，要求PN结上必须施加正向电压（P正N负）值，这是因为PN结内部由于载流子的扩散和复合，PN结在P型半导体侧只有被束缚的负电荷，在N型半导体侧只有被束缚的正电荷，形成了一个空间电荷区，自然构成一个由N指向P的内建电场。

其实你的理解有误，不是发射极与集电极之间加多大电压都不会导通，记得在晶体管的极限参数中有一个BVCEO指的就是基极开路的情况下集-射极之间能承受的最大电压，超过这个值集-射极之间就会击穿而永久导通了。

半导体材料。半导体开启电压是指二极管在正向导通时二极管两端的电压，这个电压的产生是由于PN结势垒存在一定高度的缘故。对于不同的半导体材料，PN结势垒高度不同，则开启电压也就不一样。

二极管加正向电压时，二极管导通。加反向电压时，二极管截止。因此，二极管的导通和截止，则相当于开关的接通与断开。晶体二极管一个由P型半导体和N型半导体形成的PN结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。

开启电压和导通电压的区别?

1、在半导体中导通电压与开启电压有啥区别：（1）昌体管变改基极电压、电流可以改变集电极与发射极之间的电流变化。（2）硅三极管的基极电压低于0.7V，晶体管趋于截止状态集电极与发射极之间的电阻保持无穷大。基极电压到0.7V，这时集电极与发射极开始导通，这基极这一电压特性叫晶体管的开启电压。

2、你是想问这个问题吧 应该是关于PN结的，死区电压（开启电压）指结正向电流由几乎为零转而开始明显增大那一点的结电压，此时正向电流仍不大，还不能满足电路应用；导通压降是PN结正向电流较大，工作于伏安特性几乎为直线区域时的结压降，此时正向电流变化时结压降基本不变。导通压降开启电压。

3、开启电压是小于该电压时二极管是不导通的（电流可以忽略）；导通电压是指二极管已经导通了（肯定有无法忽略电流）的正向压降。伏安特性曲线 开启电压以下的部分相当于二极管伏安特性曲线中与X轴接近平行的部分。

4、开启电压是刚开使导通时的正向电压（电流很小），正向导通电压是额定工作电流时的正向电压。开启电压低于正向导通电压。

5、不同材料的pn结，二极管，三极管导通电压不同，硅材料三极管，硅材料二极管，硅材料pn结导通电压为0.5-.7伏左右，锗材料pn结，锗材料二极管，锗材料三极管导通电压为0.1-0.3左右。

6、二极管分为硅管和锗管，硅管最为常用，开启电压约0.5V左右，也就是说正向施加0.5V的电压硅二极管内部就用电子运动，证明已经开启。如果要二极管完全导通就要约为0.7V的正向电压，因为硅二极管有0.7V的压降。

IGBT单管焊机的驱动电压一般是多少?直流还是交流?

IGBT单管焊机的驱动电压一般是2~3V，但是都不会超过18V。驱动必须使用交流电流。IGBT 处于导通态时，由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管，所以其B值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。

IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。

直流焊机：是将三相或单相 50Hz 工频交流电整流、滤波后得到一个较平滑的直流电，由 IGBT或场效应管组成的逆变电路将该直流电变为15～100kHz 的交流电，经中频主变压器降压后，再次整流滤波获得平稳的直流输出焊接电流（或再次逆变输出所需频率的交流电）。

zx7-315ds单管igbt 这机器应该他的供电是380V 输出采用的是4只 单管IGBT 这样的机器电流足点。可以很好的烧2焊条。0也能烧起来不错。 zx7-315双电压 这里的双电压说的是 供电可以是220V 也可以是380V 两种电压都可以。不过现在这种机器一般输出采用的是20只MOS管。

igbt单管氩弧焊机高频引弧板供电1000伏。供电1000伏能够提供较高的电压，可以减少高频引弧板的故障和干扰风险，同时提供足够的电弧起动能力，从而平衡工作效果和安全性需求。氩弧焊机是一种常用的电弧焊设备，使用氩气作为保护气体来保护焊接区域，防止与空气中的氧气、氮气等发生反应而引起氧化或污染。