偏压门电压栅极电压（偏压信号）
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怎样看电子管特性曲线图
电子管特性曲线图一般都是显示电子管的屏极特性曲线，横坐标表示屏极电压，纵坐标表示屏极电流，坐标轴内的几根曲线表示不同栅极偏压工作点时的放大性能，不同管子其特性曲线不同。也有些曲线横轴表示屏极电流，纵轴表示屏极内阻；还有横坐标表示栅极电压，纵坐标表示屏极内阻的曲线等。
在测试小功率晶体管的输出特性曲线时，该旋钮置VCE的有关挡。测量输入特性（4）“功耗限制电阻”旋钮 “功耗限制电阻”相当于晶体管放大器中的集电极。电阻器（Resistor）在日常生活中一般直接称为电阻。
右特性管一般曲线图偏右.特性像晶体管.删极是正压的，有电流流过.像FU6N7P等。左特性是指普通的管，负栅压工作方式的。直热式就是灯丝直接为阴极，不用专门单独的一个阴级。据说声音比旁热式的好。三极管就是指只有一个栅级的电子管 功率管就是指屏流大于30ma，或屏功率大于5W的管子。
对于场效应晶体管,什么是耗尽型,什么是增强型,有什么区别,各有什么用途...
1、耗尽型：场效应管的源极和漏极在结构上是对称的，可以互换使用，耗尽型MOS管的栅——源电压可正可负。因此，使用场效应管比晶体管灵活。
2、结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。见下图。
3、增强型场效应管和耗尽型场效应管的区别如下：工作方式不同。当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗尽型，即耗尽型场效应管。当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型，即增强型场效应管。
电子管功放怎样调整阳极电压栅极电压
1、测量次高压电压值，空载直流电压应接近或等于阳极电压（用稳压电路应等于稳压器输出值）。测量供给功率管栅极偏压值（使用固定偏压），数值应接近栅压绕组交流电压值。同时应将每只功率管的栅极负压调至最大值（负）。测量供给电压放大、推动到相级电压值 ，每级阳极电压应接近或等于设置的工作电压值。
2、电子管功放阳极电压和栅极电压调节，需具备一定电子方面的知识去调节。阳极电压是高压直流，由市电降压或升压后，再整流滤波和稳压获得。老烧友比较喜欢电子整流管整流，LC滤波或RC滤波，以及电子稳压管稳压，或者稳压二极管稳压，甚至直接滤波后直接给阳极提供电源。
3、如果图纸上没有标明，通常是供电部分的调整电阻选3-10W之间，以发热不很严重为好；其他如栅极偏压电阻和阳极输出负载电阻选二分之一瓦就可以了。电容：阴极并联的电解电容可以选低压的（选阴极电压的41倍以上），电源滤波电容应大于供电电压的41倍以上。其余的交联全部选耐压400V即可。
4、你的这个功放机由于是单端输出，栅负压为自给式，屏极发红主要原因是自给式栅负压太小，导致屏流加大发红。解决办法是加大栅负压电压（如果是可调式就好办）。
功率场效应晶体管的特性
1、功率场效应晶体管，作为一种电压控制器件，其特性在工业应用中发挥着重要作用。以VMOS场效应晶体管为例，它采用V沟槽工艺，栅极呈V型，具有短沟道、高耐压、优良的线性特性及快速的开关速度，使其在功率领域广泛应用。近期，TMOS管作为VMOS的升级版，去除了V形槽，仅保留短导通沟槽，进一步提升了性能。
2、在过载能力方面，功率场效应晶体管表现出色，短时过载能力通常可达额定值的4倍，具有出色的抗负载冲击性能。
3、漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性，ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导GfsMOSFET的漏极伏安特性（输出特性）：截止区（对应于GTR的截止区）；饱和区（对应于GTR的放大区）；非饱和区（对应于GTR的饱和区）。
