当pn结外加反向电压时（当PN结外加反向电压时,耗尽层）

频道：其他日期：2024-11-14 16:53:25 浏览：17

本文目录一览：

扩散电流大于漂移电流。多出的值好像是漏电流部分吧。

【答案】：答案：错解析：当PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。当外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。

PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层将变窄。

漂移电流的理解：在一个PN结二极管中，电子和空穴分别是P区和N区的少数载流子。由于载流子的扩散形成的从P到N区的扩散电流，恰好能与等量相反的漂移电流平衡。在一个偏置的PN结中，漂移电流与偏置无关，这是因为少数载流子的数量与偏置电压无关。

不是，与IS方向相同，由于PN结加反向电压，PN结电场加宽，PN结内的电流取决于P区和N区的少数载流子形成的漂移电流，漂移电流的方向与扩散电流相反，表现在外电路上有一个流入N区的反向电流IR。

当pn结外加反向电压时（当PN结外加反向电压时,耗尽层）

“吸”走了原有的载流子，使“真空”地带更大，所以，耗尽层会变大。

当PN节接方向电压时，相当于P节接负电，N节节正电。则P节中的带正电空穴向负极移动，N节中点负电的电子向正极移动，两种离子向相反方向移动，则中间无带点离子的空间肯定越宽了，所以说耗尽层变大了。

当PN结外加反向电压时，内外电场的方向相同，在外电场的作用下，载流子背离PN结运动，结果使空间电荷区变宽，耗尽层会（变宽）变大。PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层将变窄。

变宽，电场增强。空穴和电子都向远离耗尽层的方向运动，形成电容器件了。

【答案】：答案：错解析：当PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。当外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。

扩散电流大于漂移电流。多出的值好像是漏电流部分吧。

正负离子在界面附近产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散，达到平衡。当PN结外加反向电压时，内外电场的方向相同，在外电场的作用下，载流子背离PN结运动，结果使空间电荷区变宽，耗尽层会（变宽）变大。PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层将变窄。

当pn结加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。

PN结的单向导电性你还没真正理解啊，加正压的时候（P接高电位N接低电位），由于外加电压抵消一部分内建电场，使得数量巨大的多数载流子可以越过耗尽区，扩散电流远远大于漂移电流，所以PN结有显著的正向电流通过。

1、这是电子专业必须弄清楚的一个基础问题，它属于pn结中单向导电性的外加反向电压的情况，当pn结外加反向电压时，载流子在电场的作用下，p区的空穴和n区的自由电子向空间电荷区运动，致使载流子相互复合，这时，原来的空间电荷区周围的载流子就大幅减少，从而导致耗尽层变宽。

2、不加任何外电压时，PN结处于平衡态，内建电场的作用（从内建电场的方向可以知道，是阻碍多子扩散，利于少子漂移），使得两种运动趋势相等，因此刚好总的净的电流为零。（所以才说，这是一个动态平衡状态。）外加电压，正偏或反偏，都是打破了原有的这种平衡。

3、如果在PN结两端加上电压，扩散与漂移运动的平衡就会被破坏，PN结将显示出其单向导电的性能。

4、PN结加反偏时，PN结交界处存在势垒区。P型层与N型层之间出现耗尽区（空间电荷区），类似电容器的绝缘层，而P、N区充当电容的两个极板，该电容的数值可以根据平板电容相似的理论加以计算。

5、pn结正偏和反偏介绍如下：PN结正偏的含意：（1）、当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。（2）、在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。

6、PN结（PN junction）采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。PN结具有单向导电性。P是positive的缩写，N是negative的缩写，表明正荷子与负荷子起作用的特点。