二极管雪崩电压（雪崩二极管引脚）
本文目录一览：
二极管的击穿原理是什么,齐纳击穿与雪崩击穿有什么去别?
1、击穿的原理就是电场强度（能量）达到一定程度，使原来不能参与导电的电荷变成自由电荷而且数量急剧增长。齐纳击穿与雪崩击穿只是其两种不同的表现形式而已，原理不赘述，课本上都有。回复楼下：别乱讲，只要限制电流与功耗，任何“击穿”都是可恢复的！实际上掺杂浓度决定了击穿类型。
2、两者区别在于电压范围和温度系数。在电压低于5-6V时，齐纳击穿占主导地位，稳压值的温度系数为负；而在电压高于5-6V时，雪崩击穿更常见，稳压管的温度系数为正。在5-6V电压区间内，两种击穿效应接近，温度系数最佳，这也是许多电路选用此电压范围稳压管的原因。
3、齐纳击穿和雪崩击穿是电子器件中的两种击穿模式，它们的主要区别在于触发机制和表现特征。齐纳击穿通常发生在反向电压下的二极管中，是热击穿的一种形式。而雪崩击穿则出现在高电场强度下的半导体器件中，涉及到载流子的倍增效应。 齐纳击穿：齐纳击穿是发生在PN结的一种热击穿现象。
4、雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快。齐纳击穿完全不同，在高的反向电压下，PN结中存在强电场，它能够直接破坏！共价键将束缚电子分离来形成电子-空穴对，形成大的反向电流。齐纳击穿需要的电场强度很大！只有在杂质浓度特别大！的PN结才做得到。
5、二极管的击穿有两种击穿：齐纳击穿：稳压二极管就是利用这种特性工作的。加上反向电压，在用电阻限流的条件下，二极管两端的击穿电压基本不变。如下图中的CD段（反向击穿区）。这个击穿是可恢复击穿。
6、齐纳击穿和雪崩击穿是不同的机理，前者是负温度系数，后者是正温度系数。齐纳击穿是在重掺杂情况下，击穿电压随温度升高而降低，因为温度升高，能隙减小，因而在较高的温度下，加较小的反向电压就能达到给定的击穿电流。
雪崩二极管加正向击穿电压多少伏
1、雪崩二极管加正向击穿电压1600伏。BJT（双极型晶体管）的穿通电压与雪崩击穿电压一道，都起着限制着晶体管最高工作电压的作用（由该二者的最低值决定）。晶体管的穿通，就是在外加反向偏压还未达到集电结发生雪崩击穿时就出现了电流突然增大的一种现象，即提前发生“击穿”的一种效应。
2、击穿电压，是一种衡量二极管性能的重要指标，它指的是在指定反向击穿电流下的击穿电压。具体而言，齐纳二极管的额定击穿电压一般位于9V～7V之间，而雪崩二极管的则通常在6V～200V范围内。击穿电压是二极管在工作时承受的最大电压值，一旦超过这一值，二极管可能会发生损坏。
3、给与正向电压，并且大于二极管的导通电压！0.7V就是硅管的正向导通电压（锗管是约0.3V），导通后二极管两端的电压基本上保持不变 二极管加外正向电压（外加反向电压不能导通的）；加上的正向电压必须大于二极管的死区电压。
4、二极管的击穿电压UBR值范围很宽，从几十伏到几千伏不等。 二极管的反向击穿机理主要分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。齐纳击穿发生在高掺杂浓度的情况下，而雪崩击穿则是在掺杂浓度较低时发生。 无论是齐纳击穿还是雪崩击穿，如果不对电流进行限制，都可能导致PN结的永久性损坏。
5、一般两种击穿同时存在，但在电压低于5－6V时的击穿以齐纳击穿为主，而电压高于5－6V时的击穿以雪崩击穿为主。两者的区别对于稳压管来说，主要是：电压低于5－6V的稳压管，齐纳击穿为主，稳压值的温度系数为负。电压高于5－6V的稳压管，雪崩击穿为主，稳压管的温度系数为正。
6、电压高于5－6V的稳压管，雪崩击穿为主，稳压管的温度系数为正。电压在5－6V之间的稳压管，两种击穿程度相近，温度系数最好，这就是为什么许多电路使用5－6V稳压管的原因。
二极管雪崩击穿与齐纳击穿,哪个电压大?
雪崩击穿大！雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快。齐纳击穿完全不同，在高的反向电压下，PN结中存在强电场，它能够直接破坏！共价键将束缚电子分离来形成电子-空穴对，形成大的反向电流。齐纳击穿需要的电场强度很大！只有在杂质浓度特别大！的PN结才做得到。
PN结反向击穿现象包括齐纳击穿和雪崩击穿，通常这两种击穿会同时发生。 在电压低于5至6伏特时，齐纳击穿占主导地位，而电压超过这个范围时，雪崩击穿成为主要因素。
PN结反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿，一般两种击穿同时存在，但在电压低于 5－6V时的击穿以齐纳击穿为主，而电压高于5－6V时的击穿以雪崩击穿为主。两者的区别对于稳压管来说，主要是：电压低于5－6V的稳压管，齐纳击穿为主，稳压值的温度系数为负。
一般对于硅材料的PN结，6V电压以上以雪崩击穿为主，6V以下以齐纳击穿为主；电压很高几乎就是雪崩击穿，电压很低就是齐纳击穿。相同之处是：电压低于击穿点时通过PN结的电流很小，电压超过击穿点后，通过PN结的电流急剧增大，若外部电路不加限制，将使PN结很快烧毁。
称为雪崩击穿。雪崩击穿电压较高，大于6V，且具有正温度系数。由高浓度掺杂材料制成的PN结很窄，即使反向电压不高也容易在很窄的耗尽区形成很强的电场，将价电子直接从共价键中拉出来产生电子一空穴对，使反向电流急剧增加，称为齐纳击穿。齐纳击穿电压较低，小于6V，具有负温度系数。
齐纳击穿和雪崩击穿是电子器件中的两种击穿模式，它们的主要区别在于触发机制和表现特征。齐纳击穿通常发生在反向电压下的二极管中，是热击穿的一种形式。而雪崩击穿则出现在高电场强度下的半导体器件中，涉及到载流子的倍增效应。 齐纳击穿：齐纳击穿是发生在PN结的一种热击穿现象。
击穿电压是怎样的
击穿电压是指在一个电气设备或者材料中，当电场强度达到一定程度时，该设备或材料会被电击穿并被破坏的电场强度值。通俗地说，如果一个电器设备或者材料所能承受的电场强度超过了它的击穿电压，那么它就会被电击穿，发生故障。击穿电压的意义非常重要，它是电气设备和材料的重要性能参数之一。
击穿电压是使电介质击穿的电压，电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体，称为电介质击穿，所对应的电压称为击穿电压。电介质击穿时的电场强度叫击穿场强。在强电场作用下，固体电介质丧失电绝缘能力而由绝缘状态突变为良导电状态。
击穿电压是指使介质失去绝缘性能、发生导电现象的临界电压。在电路中，绝缘材料被施加电压时，内部的电子会受到电场力的作用而开始流动。当电压逐渐增大到一定程度时，绝缘材料内部的电子流动变得足够强烈，导致原本不导电的介质转变为导电状态，这就是所谓的“击穿”。此时的电压即为击穿电压。
