mosfet小电压驱动高电压（mosfet驱动电流太小怎么解决）
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与信息电子电路中的MOSFET相比,电力MOSFET具有怎样的结构特点才耐受高电...
第一点：电力 MOSFET 大多采用了垂直导电结构，增大了通过电流的有效面积，使其能够承受更大的电流。第二点：电力通常需要高压大电流的mosfet，信息电子电路相比电力，电压和电流都小很多，mosfet的耐压和电流自然小些。
目前电力 MOSFET 大多采用了垂直导电结构，增大了通过电流的有效面积，使其能够承受更大的电流。电力MOSFET多了个低掺杂N区，该区由于掺杂浓度低，使得其接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，因此能承受高电压。
电力通常需要高压大电流的mosfet，信息电子电路相比电力，电压和电流都小很多，mosfet的耐压和电流自然小些。mosfet工艺是一样的，是可以通用的，不是说信息电子电路mosfet就不能用在电力上，电力的一些设备也有只需要低压小电流的。
MOSFET，即金属氧化物半导体场效应晶体管，其核心是利用金属栅极控制半导体的电场效应来实现电流的控制。在众多类型中，功率MOSFET因其低功耗特性，常被用于电子设备的高效控制电路中，包括结型和绝缘栅型两种主要结构，其中后者因其快速开关和优良热稳定性而受到青睐。
mosfet实际常用的正驱动电压是
mosfet实际常用的正驱动电压是Vgs一般为12~15V，低于20V，负栅压不超过5V。因为正驱动电压不能太大，具体还要根据实际情况来，如果是Si mosfet建议15V以上，Sic mosfet驱动电压一般要高于Si的。
MOS管的驱动电压一般较低，我了解的大多数在10VDC以下吧，当然和你的型号有关，你可以下载其规格书看看。低压MOS一般5Vdc导通的。
大多数Si管子手册正负压限制绝对值相等比如+20和-20，而SiC通常有更小的负压限制，比如这个SIC管子，GS正压最大值25而负压-10。实验中为了可靠关断，可以加一定的负压（实际实验中还会有开通关断瞬时振荡），但负压如果超过了最大值（这个管子是-10伏）可能会损坏管子。因此一般加负压时留一定的裕量。
高端驱动和低端驱动分别是什么原理,有什么区别?
高端驱动是指在负载的供电端进行开关操作，低端驱动是指在负载的接地端进行开关操作。显而易见的区别是，如果是低端驱动，那么负载一端会始终接供电。应用上有诸多差别，但各有优劣，比如，如果你要做电流采样，那么用高端开关需要做差分采样，低端开关可以一根线共地采样。
动铁和动圈的原理不同，动圈的音圈在磁隙中通电后振动，动圈乐感较强声音暖。动铁通过铁磁性音膜振动发声，笼统地说动铁耳塞是线圈固定，一般认为动铁素质较好声音冷。动圈耳塞是磁铁固定，各个型号具体情况需具搜索体分析，带动音膜振动而发声。
在线圈上，也是有点差别的。有些主板采用的线圈线径很细，绕组多的那种；有些则采用绕线圈数较少，线径很粗的线圈。线径很粗的线圈采用的是高导磁率、不易饱和的新型磁芯，所以不需要很多的绕线圈数就可以得到足够的磁通量，因此也被越来越多的主板生产商所采用。
