pmos管导通电压（pmos管电流方向）

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• 1、MOS管当开关控制时,一般用PMOS做上管NMOS做下管
• 2、PMOS导通,求解释5V未供电时,PMOS怎么导通的,最终有锂电池供电!谢谢_百度...
• 3、PMOS,NMOS,CMOS,BIOS有何区别
• 4、如下图,NMOS管的工作状态是怎样的?

MOS管当开关控制时,一般用PMOS做上管NMOS做下管

1、总的来说，PMOS作为上管，NMOS作为下管的配置之所以广泛采用，是因为它简化了电路设计，降低了控制难度。在大多数情况下，这种配置提供了稳定的性能和易于实现的控制，而避免了不必要的复杂性。当然，特殊情况下的反向选择虽然可能在某些特殊场合有其价值，但一般情况下，遵循常规策略更为常见。

2、但是pmos没有nmos流行的原因是，pmos导通压降大，效率低，Pmos的同态电阻比NMOS大，输入电压低，而且还有成本问题，所以开关电源主开关管很少用PMOS导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况低端驱动，只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

3、首先，从极性上来看，NMOS是一种N型场效应管，即N型沟道、P型衬底；而PMOS则是一种P型场效应管，即P型沟道、N型衬底。这两种不同类型的MOS管因其极性差异，在电路中的应用也各不相同。

4、pmos和nmos的区别是mos管，分为N沟道和P沟道两种。我们常用的是NMOS，因为其导通电阻小，且容易制造。在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。

5、选择开关管时，需考虑应用需求（如电流、电压、功率）、成本、易用性以及电路的稳定性。对于无源元件，NMOS是常见的选择；而对有源器件，PMOS更合适。MOS管在低压功率应用中表现出色，而IGBT则适用于高压大电流的场合。在实际设计中，综合考虑这些因素，选择合适的开关管是确保电路性能的关键。

6、极性方面，PMOS是一种正极性的MOS管，其源极和漏极是p型半导体，而控制电极是n型半导体。相反，NMOS是一种负极性的MOS管，其源极和漏极是n型半导体，控制电极是p型半导体。这种极性差异导致了它们在电路中的行为不同。工作原理上，PMOS依靠空穴的流动来运送电流，当栅极电压低于某一阈值时，PMOS导通。

PMOS导通,求解释5V未供电时,PMOS怎么导通的,最终有锂电池供电!谢谢_百度...

电路上的PMOS从D到S一直能够走电流的，只是当VGS为负压时MOS管打开，内阻很小，当5V未供电时，G那里有下拉电阻电位为0V，S那里有锂电池过来的电压这样PMOS就打开了。当有5V电压时G为5V电压，电池电压最大为2V，D1从5V过来的电压为5V-二极管压降（0.5）=5左右吧。这样MOS管就关段。

NMOS导通需要gs有一个正压，导通时，必须通过自举电容来获取gs的正压，pmos导通gs需要一个负压，即G端电压要小于s端电压，这样ic实现起来就很方便了，不用之举电容。

PMOS焊接在洞洞板上测试，满负载（80mA）没问题，但是PCB上满负载时，单片机管脚输出低电平去导通PMOS，却被拉高，去掉其中一个负载才可以导通，单片机输出恢复到正常的低电平，－－－ 这个问题，恐怕是电路问题，仔细检查电路吧。－－－ 以低电平、拉电流方式来控制5V的外设，是个正确的方法。

PMOS,NMOS,CMOS,BIOS有何区别

PMOS，NMOS，CMOS，BIOS的主要区别在导通特性，开关管损失，驱动方面 导通特性 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。

NMOS和PMOS是两种不同的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类型，主要区别在于它们的通道类型。 NMOS具有N型通道，而PMOS具有P型通道。这意味着NMOS在栅极施加正电压时导通，而PMOS在栅极施加负电压时导通。 在应用中，NMOS通常用于高电平开关，而PMOS通常用于低电平开关。

PMOS的值不同。（1）、增强型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面没有沟道存在，也就是说，对于NMOS，阈值电压大于0；PMOS，小于0。（2）、耗尽型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面已有沟道存在，也就是说，对于NMOS，阈值电压小于0；PMOS，大于0。原理不同。

MOS器件分为NMOS和PMOS，而CMOS是指互补的MOS管组成的电路，也就是PMOS，NMOS组成，NMOS是指沟道在栅电压控制下p型衬底反型变成n沟道，靠电子的流动 PMOS是指 n型 p沟道，靠空穴的流动 CMOS相比Bipolar，优点就是其功耗低，集成度高等等。

NMOS是一种N型半导体MOSFET，其主要由N型材料制成。当栅极电压为正电压时，NMOS处于导通状态，栅极电压为负电压时，NMOS处于截止状态。NMOS的栅极电压与源极电压之差（VGS）为正值时，NMOS导通。NMOS也用于逻辑电路中，通常与PMOS一起使用，以实现CMOS（互补金属氧化物半导体）逻辑。

NMOS和PMOS的主要区别在于它们的极性、导通条件以及电流方向。首先，从极性上来看，NMOS是一种N型场效应管，即N型沟道、P型衬底；而PMOS则是一种P型场效应管，即P型沟道、N型衬底。这两种不同类型的MOS管因其极性差异，在电路中的应用也各不相同。

如下图,NMOS管的工作状态是怎样的?

1、这是个自给偏置的电路结构，所以栅极电压确定了，那么源极电压也就确定了；另外BSS169为N沟道耗尽型场效应管，在 Ugs=0V，即具有导通能力，也就是说，Ug=5V时，Us=5V。

2、NMOS管的工作状态主要分为三类：截止区，线性区（或称为三极管区），以及饱和区。首先，截止区是当NMOS管的栅极电压低于阈值电压，使得沟道无法形成，源极和漏极之间处于高阻态。这种情况下，NMOS管相当于一个断开的开关，电流无法从源极流向漏极。

3、在数字电路中，存在着4个状态，分别是同时闭合、同时断开、上拉和下拉，具体状态如下表所示：解释了新的状态X和Z：X表示同时闭合，Z表示同时断开。在CMOS反相器电路中，NMOS器件的互补器件是PMOS。两个串联的NMOS管的互补输出电路是两个并联的PMOS管。

4、NMOS在开关电源和马达驱动应用中较受欢迎，因其导通电阻小且易于制造。在MOS管的工作原理中，存在寄生电容，这是制造工艺的局限性导致的，但在设计和驱动电路时需要考虑这一因素。MOS管内部包含一个寄生二极管，即体二极管，这个二极管在驱动感性负载如马达时尤为重要。