硅和锗的二极管开启电压（硅二极管和锗二极管的开启电压）
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稳压二极管按材料可分为硅管和锗管吗?
是的，稳压二极管按照半导体材料可以分为硅管和锗管。他们在各自的特性和应用中存在一些差异： 硅管：硅二极管的导通电压通常在0.6-0.7伏特之间，这是硅的固有性质决定的。硅管的稳压性能优秀，具有较高的反向电压和温度特性良好。此外，硅二极管的结电容小，频率特性好。
稳压二极管按材料分类可分为锗管和硅管两大类。两者性能的区别在于：锗管正向压降比硅管小，锗管反向漏电流比硅管大，锗管PN结可以承受的温度比硅管低。（2）按用途分类 二极管按用途分可以分为普通二极管和特殊二极管。
若是根据材料来进行分类的话，那么二极管可分为2种，一种叫做锗管，另外一种叫做硅管。两者能的区别在于：锗管正向压降比硅管小，锗管反向漏电流比硅管大，锗管PN结可以承受的温度比硅管低。导通电压不可以太高的话，则应该选择使用锗管；反向电流需要小一些的话，则应该选择使用硅管。
按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。
二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。
按照结构，半导体二极管分为点接触和面接触这两种。谢谢。
是怎么判断的非线性元件伏安特性的测量中普通二极管是硅管还是锗管?
1、在非线性元件伏安特性测量中，判断二极管是硅管还是锗管主要依据的是开启电压的大小。硅二极管的开启电压大约为0.7V左右，而锗二极管的开启电压则大约为0.2V左右。
2、要判断普通二极管是硅管还是锗管，其实并不复杂，仅需使用普通万用表即可。通常，硅管在正向测试时电阻约为5K欧姆，反向测试时电阻则为无穷大。而锗管在正向测试时电阻约为5K欧姆，反向测试时电阻约为500欧姆。通过上述数据对比，可以轻松识别硅管与锗管。
3、用一个普通万用表就可以测试。 一般硅管正向电阻是5K左右，反向电阻是无穷大的。锗管正向电阻是5K左右反向电阻是500的样子。 当然你可以自己去找一个硅管和锗管来自己实验一下那样映像深刻一点。
4、可以用万用表判断它的极性，确定它是硅管还是锗管，并同时区分它的管脚。
5、对于PNP型晶体管，检测方法略有不同。只需对调万用表的表笔，即可进行测量。如果两种晶体管由相同材料制成，它们的正向电阻值差异将非常小，这是因为正向偏置下，电阻值主要取决于材料特性。通过上述技巧，我们可以轻松判断硅管与锗管，为电子电路的设计与应用提供关键信息。
6、如果阻值特别小则说明二极管是断路的。如果要测量二极管是硅管还是锗管，可用上述测量二极管好坏的方法，测量二极管的正向电阻（两次测量中阻值最小的是正向电阻）如果用万用表R×100挡测得二极管的正向电阻在500Ω至1K之间，则这是锗管；如果测得正向电阻在几千欧至几十千欧之间，则是硅管。
硅管比锗管的开启电压大的原因
该电场强度与本征载流子浓度成相反函数关系，锗材料由于原子半径大，束缚外围电子能力差，因而本征载流子浓度大于硅材料，导致内建电场强度小于硅。若想要PN结导通，外施正向电压形成的场强大小必须首先要能够克服该内建电场，对于硅材料，克服该电场需要0.6-0.8伏，对于锗材料克服该电场需要0.1-0.3伏。
与锗相比，硅原子对电子的吸引力更大一些，使电子离开硅原子核需要的能量也就更大一些。
硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多，锗管为mA级，硅管为nA级。这是因为在相同温度下锗的ni比硅的ni要高出约三个数量级，所以在相同掺杂浓度下硅的少子浓度比锗的少子浓度低的多，故硅管的反向饱和电流很小。
二极管分为硅管和锗管，硅管最为常用，开启电压约0.5V左右，也就是说正向施加0.5V的电压硅二极管内部就用电子运动，证明已经开启。如果要二极管完全导通就要约为0.7V的正向电压，因为硅二极管有0.7V的压降。
电压再稍微增大，电流急剧暗加。不同材料的pn结，二极管，三极管导通电压不同，硅材料三极管，硅材料二极管，硅材料pn结导通电压为0.5-.7伏左右，锗材料pn结，锗材料二极管，锗材料三极管导通电压为0.1-0.3左右。
