vgsth电压（vgs电压范围）
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一文帮你搞定MOS管选型、图文结合、帮你快速搞定MOS管选型
选择MOS管时需考虑以下关键参数：栅极阈值电压（VGSth）、漏源导通电阻（RDS（on）、连续漏极电流（ID）、脉冲漏极电流（ID脉冲）、栅源电压（VGS）、漏源电压（VDS）、功耗、工作和储存温度、热特性、动态特性、栅极平台电压（Vplateau）、雪崩能量、安全工作区、电流应力、电压应力。
选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。
首先，确定沟道类型。在低压侧开关中，应选择N沟道MOS管，而在高压侧开关中，P沟道MOS管更为合适，这取决于驱动电压的需求。其次，确认额外电压。必须确保MOS管的额外电压大于实际工作电压，以提供足够的保护，防止由于温度变化导致的失效。
在选择MOS管时，需要关注的关键参数是多方面的。首先，确定MOS管的类型，即P型或N型，这对电流流动方向至关重要。接着，VGS（栅极-源极电压）和VDS（漏极-源极电压）的值是决定其工作状态的重要指标，VGS控制着管子的开启和关闭，而VDS则反映了其在工作时的最大电压承载能力。
在选择MOS管时，有几个关键参数需格外关注。
MOS管栅极电压选择技巧
电路中MOS管的开启电压选取，需考虑管子特性与电路需求。对于特定的NMOS管，其VGS范围为正负20V，而阈值电压（VGSth）在0.8V至5V之间变动。选择合适的栅极电压时，需关注以下几点：功耗、稳定性与噪声裕量。理想电压通常设置为VGSth的最大值加上一定裕量，确保MOS管稳定导通且考虑功耗因素。
mos栅极电压最好要在12V左右，这个电压月底，导通损耗越大。直接用3V或者5V驱动不会完全导通，一般最小不要小于8V。那么mos管导通。栅极的正电压推出来一天道来让源极和漏极相通。
MOS管栅极电阻的选取可以通过以下步骤进行：确定电路的工作电压 range。确定工作状态下 MOSFET 的最大电流。根据最大电流和工作电压确定 MOSFET 的额定功率。通过选择电阻值来将功耗限制在额定范围内。一般情况下，电阻的额定功率应为 MOSFET 的额定功率的两倍。
怎么判断笔记本主板上的高低端场管?
CPU：高配置笔记本电脑通常采用更为先进的处理器，比如英特尔Corei7或AMDRyzen7等，而低配置则可能只有IntelCorei3或AMDA6等较为基础的处理器。内存：高配置笔记本电脑内置的内存容量通常会更大一些，比如16GB或32GB，可以支持运行更复杂、占用内存更大的软件。
用万用表的二极管挡分别测量G、D 、S 之间的6 次阻值，如果有一次有阻值，那么这个场效应管就是好的，在有阻值的那个时刻，如果红表笔连接的是D，黑表笔连接的是S ，则说明这个场效应管是P 沟道，反之是N 沟道。
本本场管的封装有2种，一种是3脚的像3极管，在线测量在不通电的情况下只能测试S\D的正反向电阻，如果短路或小阻，排除了线路原因，就可确定是坏的。如果无明显的异常阻值，只能通电或拆下来测量。
在实地很多小小白分不清笔记本主板上的贴片电容、电感和电阻，有很多人从颜色上区分， 其实这种方法并不完全正确， 在工厂里工作过的人应该知道，这些元器件的颜色是多种多样的，像电阻有铁黑色、铁灰色、绿色、蓝色，电感也有铁灰色、蓝色、蓝黑、绿黑、蓝白，所以从颜色不能完全分辨。
电脑做为一个多硬件协同工作的机器，是由CPU、显卡、内存、硬盘、主板等组成的，因此要区分电脑的等次，应从配件上来看，并且主要从CPU、显卡、内存这三大件上来判断。同时影响电脑等次的还有硬件的品牌。 品牌电脑的高中低端，影响的因素较多，而且同一品牌自身也有不同等级的型号。
电路中mos管的驱动电压是指vgsth吗
1、VGSth是MOS管导通的阈值电压，电路设计中需确保栅极电压高于此值。RDS（on）是指MOS管导通时漏源之间的等效电阻，对于电源应用，此值需保持较低以减少传导损耗。连续漏极电流（ID）是MOS管可以处理的最大连续电流值，脉冲漏极电流（ID脉冲）则指MOS管可以处理的有限脉冲电流。
2、电路中MOS管的开启电压选取，需考虑管子特性与电路需求。对于特定的NMOS管，其VGS范围为正负20V，而阈值电压（VGSth）在0.8V至5V之间变动。选择合适的栅极电压时，需关注以下几点：功耗、稳定性与噪声裕量。理想电压通常设置为VGSth的最大值加上一定裕量，确保MOS管稳定导通且考虑功耗因素。
3、在电子电路设计中，了解开关管的类型及其特性对于确保电路的稳定性和效率至关重要。本文主要介绍四种常用的开关管：NMOS、PMOS、三极管以及IGBT，并探讨它们的应用场景与区别。NMOS（N-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）等效为电压控制的电阻，具有一个阈值电压Vgsth。
4、MOS不是。IGBT和MOS都需要一定的门槛电压（VGSth）来触发打开 但是由于IGBT的达林顿结构导致寄生电容偏大，故需要一定的门极驱动能力，MOS相对较小。相对的，IGBT的开关频率普遍较低（30~50K以下）而电流较大（可达1000A）。
