硅二极管的门限电压（硅二极管工作电压）
本文目录一览：
硅二极管门限电压
1、就是硅二极管的正向电压高于0.7v它才导通，锗管高于0.2v时导通。
2、二极管对这个“正向电压”是有要求的，就是要能“正”到它能导通的程度它才导通，低于它的导通电压值它也不导通，这个能让它导通的电压就叫门限电压，对于硅管是0.7V，锗管是0.2V。就是硅二极管的正向电压高于0.7V它才导通，锗管高于0.2V时导通。
3、其次，对于二极管的正向电流，只有当电压达到特定的门限电压（Ur）时，电流才会有明显的增长。这个门限电压也被称为死区电压或阈值电压。硅二极管的门限电压通常高于锗二极管，这是因为硅的Is远小于锗的Is。一般情况下，硅二极管的门限电压约为0.5V到0.6V，而锗二极管的门限电压则约为0.1V到0.2V。
4、一般硅二极管的门限电压约为0.5V~0.6V， 锗二极管的门限电压约为0.1V~0.2V。拓展内容：二极管 二极管，（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（Varicap Diode）则用来当作电子式的可调电容器。
5、根据实验研究，锗二极管正向在0.2V就开始有电流了，而硅二极管要到0.5V才开始有电流，也就是说两者达到导通的起始电压不同 在反向电压下，硅管的漏电流要比锗管的漏电流小得多。
6、在正向电压很小时，通过二极管的电流很小，只有正向电压达到某一数值Ur后，电流才明显增长。通常把电压Ur称为二极管的门限电压，也称为死区电压或阈值电压。由于硅二极管的Is远小于锗二极管的Is，所以硅二极管的门限电压大于锗二极管的门限电压。
硅管比锗管的开启电压大的原因
1、该电场强度与本征载流子浓度成相反函数关系，锗材料由于原子半径大，束缚外围电子能力差，因而本征载流子浓度大于硅材料，导致内建电场强度小于硅。若想要PN结导通，外施正向电压形成的场强大小必须首先要能够克服该内建电场，对于硅材料，克服该电场需要0.6-0.8伏，对于锗材料克服该电场需要0.1-0.3伏。
2、与锗相比，硅原子对电子的吸引力更大一些，使电子离开硅原子核需要的能量也就更大一些。
3、硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多，锗管为mA级，硅管为nA级。这是因为在相同温度下锗的ni比硅的ni要高出约三个数量级，所以在相同掺杂浓度下硅的少子浓度比锗的少子浓度低的多，故硅管的反向饱和电流很小。
4、电阻不同，电流不同。根据查询知乎网显示。电阻不同：在相同电流下，锗管的直流电阻小于硅管的直流电阻。硅管的交流电阻小于锗管。电流不同：在反向电压下，硅管的漏电流远小于锗管。开启后，锗管电流增加缓慢而硅管电流增加较快，硅二极管的反向电流远小于锗二极管。
5、电压再稍微增大，电流急剧暗加。不同材料的pn结，二极管，三极管导通电压不同，硅材料三极管，硅材料二极管，硅材料pn结导通电压为0.5-.7伏左右，锗材料pn结，锗材料二极管，锗材料三极管导通电压为0.1-0.3左右。
硅二极管与锗二极管的性质有什么不同?
硅二极管与锗二极管的区别主要如下：在电流相同时，锗管的直流电阻小于硅管的直流电阻。而硅管的交流电阻小于锗管的交流电阻。
其次，锗二极管的漏电流较大。这意味着在正向偏置时，锗二极管具有较高的电位差，并且漏电流较大。此外，锗二极管的开关速度较快。由于锗材料的特性，锗二极管可以快速地进行开启和关闭的过程。硅二极管与锗二极管的应用 硅二极管和锗二极管在实际应用中具有不同的适用性。
硅和锗两种二极管的特性曲线，两者有以下几点差异：1） 硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多，锗管为mA级，硅管为nA级。这是因为在相同温度下锗的ni比硅的ni要高出约三个数量级，所以在相同掺杂浓度下硅的少子浓度比锗的少子浓度低的多，故硅管的反向饱和电流Is很小。
根据实验研究，锗二极管正向在0.2V就开始有电流了，而硅二极管要到0.5V才开始有电流，也就是说两者达到导通的起始电压不同。
硅二极管和锗二极管有什么异同?
硅二极管与锗二极管的区别主要如下：在电流相同时，锗管的直流电阻小于硅管的直流电阻。而硅管的交流电阻小于锗管的交流电阻。
硅二极管和锗二极管之间的主要区别可以总结如下：制造材料：硅二极管由硅材料制成，锗二极管由锗材料制成。工作温度：硅二极管具有较高的工作温度，锗二极管适用于较低的环境温度。漏电流：硅二极管具有较小的漏电流，锗二极管漏电流较大。开关速度：硅二极管的开关速度较慢，锗二极管的开关速度较快。
硅二极管与锗二极管的区别主要如下：在电流相同时，锗管的直流电阻小于硅管的直流电阻。而硅管的交流电阻小于锗管的交流电阻。锗管的漏电流远远大于硅管，且随着温度的增加，漏电流也会剧烈的上升。也就是说锗管的“热稳定性”非常差。这就是锗管基本被淘汰的最主要的原因。
硅二极管与锗二极管在性能曲线方面存在显著差异。其主要区别体现在以下几个方面：首先，硅二极管的反向电流远低于锗二极管。在相同温度下，硅的杂质浓度比锗高约三个数量级，因此在相同掺杂浓度下，硅中的少数载流子浓度远低于锗，导致硅二极管的反向饱和电流（Is）非常小。
硅和锗两种二极管的特性曲线，两者有以下几点差异：1） 硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多，锗管为mA级，硅管为nA级。这是因为在相同温度下锗的ni比硅的ni要高出约三个数量级，所以在相同掺杂浓度下硅的少子浓度比锗的少子浓度低的多，故硅管的反向饱和电流Is很小。
