pn结电压（PN结电压与温度关系实验原理报告）

频道：其他 日期： 浏览：10

本文目录一览：

pn结导通死区电压原因

这是因为半导体材料对电压具有一定的阻力，如果电压过低，无法有效破坏PN结内部的自建电场。不同的材料具有不同的死区电压，这是由半导体材料的特性决定的。硅管的常用PN结死区电压范围为0.7至0.8伏特，而锗管的死区电压范围则为0.1至0.3伏特。这些差异源于不同材料的电阻率和能带结构。

死区电压，指的是即使加正向电压，也必须达到一定大小才开始导通，这个阈值叫死区电压。当外加正向电压Uk很低时，由于外电场还不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动的阻力，故正向电流很小，几乎为零；当正向电压超过一定数值后，内电场被大大削弱，电流增长很快。

死区电压的形成原因 死区电压的存在是由于二极管PN结的特性决定的。在二极管正向偏置时，虽然外部施加了电压，但PN结内部需要克服一定的势垒才能形成电流的流通。这个势垒就形成了二极管导电的门槛，对应着死区电压的产生。死区电压的重要性 了解二极管的死区电压对于电路设计和分析至关重要。

pn节启动电压怎么看

1、pn节启动电压为0.3～0.7v为0.3～0.7v。在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通处于“死区”状态，当正向电压超过一定数值后，管子才导通，此时的电压为“导通电压”。电压再稍微增大，电流急剧暗加。

2、Pn结正常电压是0.5-0.8，他的意思是属于电压值，这种电压只属于一个参考值，所以它不超出这个参考值，他是属于安全的。

3、一般LED灯的PN节应只有0.5~0.7伏就能开通，5伏电压，你应串联一个电阻限流。可以算出电阻的功率：电流700mA，电压5伏－0.7伏＝3伏。

PN结的导通电压是多少?

B、导通电压：由公式做出伏安特性曲线，可知，因为Is特别小，所以当V不是很大的时候，I仍是很小的值；当V较大时，I的变化才明显起来。所以工程上定义导通电压Von。认为：当VVon时，二极管导通，I有明显变化；当V硅的导通电压：0.6~0.8V 锗的导通电压：0.2~0.3V。

不同材料的pn结，二极管，三极管导通电压不同，硅材料三极管，硅材料二极管，硅材料pn结导通电压为0.5-0.7伏左右，锗材料pn结，锗材料二极管，锗材料三极管导通电压为0.1-0.3左右。

PN结在正向电压情况下导通，但不是理想的开关，上面会有0.7V左右的电压。

根据导通程度和型号的不同，NP结正向导通后的电压可以在0.6~2V之间变化（硅管），如果你说的是三极管的集电结，那个变化范围就更大了，从饱和状态的0.3V左右到上百V都有。

你说的0.6-0.7V是三极管基极导通电压。根据PN结的特性，在正向导通后，PN结电压与电流基本上呈现指数关系，在一定条件下可以认为PN结电压恒定为0.7V左右，PN结通过的电流只与外电路相关。在这个图中，你只需要知道三极管的BE之间为0.7V，BE的电流需要根据外电路和这个0.7V来计算就可以。

在反向时同样在所加反向电压小于击穿电压时，反向电流很小，当一旦高于击穿电压时，反向电流即迅速增加。从pn结的电流电压关系图上可以清楚看出两者的图形变化“相似”，区别在于正向的导通电压很低，硅半导体构成的pn结导通电压在0.7V左右，锗管的约为0.4V；而反向击穿电压一般数值都高于导通电压。

PN结反向电压的作用原理是什么?

1、当外加反向偏压时，它的电场方向与Upn的电场方向一致，空间电荷区被增厚变宽，载流子不易通过扩散减弱，呈现高阻状态。此时仅有两侧的少子，也就是N区的空穴和P区的电子在Upn电场力作用下做漂移运动，形成较小的反向饱和电流IS，直至击穿为止，其电流按二极管方程规律变化，这就是PN结的单向导电性原理。

2、反向电压增加，势垒电容减小。PN结加反偏时，PN结交界处存在势垒区。P型层与N型层之间出现耗尽区（空间电荷区），类似电容器的绝缘层，而P、N区充当电容的两个极板，该电容的数值可以根据平板电容相似的理论加以计算。

3、pn结工作原理如下：如果将PN结加正向电压，即P区接正极，N区接负极。由于外加电压的电场方向和PN结内电场方向相反。在外电场的作用下，内电场将会被削弱，使得阻挡层变窄，扩散运动因此增强。这样多数载流子将在外电场力的驱动下源源不断地通过PN结，形成较大的扩散电流，称为正向电流。

PN结,什么是正向电压?是P向N?还是N向P?能具体说明下什么是PN结吗?

PN结的正向电压是P区接电源的正极，N区接电源的负极。PN结接正向电压时，会形成方向从P指向N的外电场，这个外电场的方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场的作用，使漂移运动和扩散运动的平衡被打破，扩散运动加强。

在PN结上外加一电压 ，如果P型一边接正极 ，N型一边接负极，电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，电流可以顺利通过。如果N型一边接外加电压的正极，P型一边接负极，则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过。这就是PN结的单向导电性。

PN结是P型半导体和N型半导体制作在一块半导体材料上时在其交界面形成的的一个区域。当P区接正电压、N区接负电压并达到一定值时，电流可从P区流向N区，这就是正向导通。这样接法就是正偏，PN结正向导通电压小于1V。

PN结（PN junction）采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。PN结具有单向导电性。P是positive的缩写，N是negative的缩写，表明正荷子与负荷子起作用的特点。

PN结一边是P区，一边是N区，只有P区电位高于N区电位，它才会通，而且有P到N导通，反过来，N电位高于P区，不会导通，称为反向截止。

关键词：pn结电压