带隙基准电压源（带隙基准电压源英文）

频道：其他日期：2025-01-12 00:07:35 浏览：51

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1、ADC受带隙基准电压源温度系数影响。带隙基准电压源是一种依赖于温度的电路，其输出电压会随着温度的变化而发生变化。ADC的转换精度取决于参考电压的稳定性，而带隙基准电压源是ADC的参考电压源，因此其温度系数会影响ADC的转换精度。

2、带隙基准的核心是利用二极管连接的三极管，结合正负温度系数的电压，通过抵消温度影响，生成几乎不随温度变化的基准电压。这种电路利用二极管的电流电压特性，以及控制变量法来分析温度对基极发射极电压（VBE）的影响。

3、题主是否想询问“带隙基准在adc中的作用有哪些”？精确度和稳定性，内部参考电压。精确度和稳定性：带隙基准提供了一个稳定的参考电压，用于执行模数转换的精确度和稳定性。内部参考电压：ADC中的带隙基准被用作内部参考电压源，供给ADC内部模数转换电路使用。

4、顾老师的书上好像写错了。我看了一下TI的spru030d。上面写的是这个两个位幅值00，表示带隙和参考电路掉电。幅值11，表示给带隙和参考电路上电。带隙应该指的是ADCREFM和ADCREFP两个引脚的电压的差值，这两个引脚对应的内部电路应该就是参考电路。

5、电压基准是混合信号电路设计中一个非常重要的组成单元，它广泛应用于振荡器、锁相环、稳压器、ADC，DAC等电路中。产生基准的目的是建立一个与工艺和电源电压无关、不随温度变化的直流电压。

带隙基准电压源（带隙基准电压源英文）

1、题主是否想询问“带隙基准在adc中的作用有哪些”？精确度和稳定性，内部参考电压。精确度和稳定性：带隙基准提供了一个稳定的参考电压，用于执行模数转换的精确度和稳定性。内部参考电压：ADC中的带隙基准被用作内部参考电压源，供给ADC内部模数转换电路使用。

2、ADC受带隙基准电压源温度系数影响。带隙基准电压源是一种依赖于温度的电路，其输出电压会随着温度的变化而发生变化。ADC的转换精度取决于参考电压的稳定性，而带隙基准电压源是ADC的参考电压源，因此其温度系数会影响ADC的转换精度。

3、带隙基准电路在电路设计中扮演着关键角色，尤其对于ADC、DAC和LDO等电路，它提供稳定的基准电压，确保信号转换和电源稳定。作者分享了自己尝试调整三种不同带隙基准电路的经历，希望得到专业意见。

带隙基准（Bandgap Voltage Reference），通常简称Bandgap，是一种独特的电路设计。其核心原理是结合两个电压源，一个随温度上升而线性增加，另一个随温度下降而线性减小。这两个电压源的温度系数相互抵消，从而产生一个几乎不受温度影响的基准电压，大约为25V。

带隙基准利用一个电压，其值与温度成正比，与二极管的压降相加。这两个参数的温度系数恰好相互抵消，从而产生一个与温度无关的基准电压。这个名字来源于其基准电压与硅晶体的带隙电压相近，尽管实际上并非直接使用带隙电压本身。

最经典的带隙基准是利用一个与温度成正比的电压与一个与温度成反比的电压之和，二者温度系数相互抵消，实现与温度无关的电压基准，约为25V。因为其基准电压与硅的带隙电压差不多，因而称为带隙基准。实际上利用的不是带隙电压。现在有些Bandgap结构输出电压与带隙电压也不一致。

带隙基准电路是模拟MOS集成电路设计中的一项关键概念，旨在生成一个与温度无关的基准电压。这一专业术语“带隙”源自于产生零温度电压基准的关键公式：硅的带隙电压Eg/q、迁移率的温度指数m以及热电势Vt。

带隙基准作为电路设计中的重要模块，其核心在于从电路本身以及连续时间域对抗PVT变化的思路。设计起点通常围绕着一个基本结构，该结构涵盖了温度相关的电压、电流电压的叠加以及虚短的建立等关键概念。在探讨温度相关的电压时，重点放在了PN结的导通特性，以及如何通过恒定偏置电流获得PN结的温度系数。

带隙基准电压源的原理是利用半导体材料的带隙能量与温度之间的特定关系来生成一个与温度无关或具有极低温度系数的稳定电压。半导体材料的带隙能量是指价带顶和导带底之间的能量差，它决定了半导体材料的基本电学特性。

带隙基准电压源原理带隙基准电压源是一种电压源，它可以提供一个精确的、可靠的、稳定的电压输出。它的原理是，将一个可调电阻与一个固定电阻相连，形成一个电路，然后将一个电压源连接到电路的一端，另一端接地。由于可调电阻的电阻值可以调节，因此可以控制电路中的电流，从而控制电路中的电压。

其核心原理是结合两个电压源，一个随温度上升而线性增加，另一个随温度下降而线性减小。这两个电压源的温度系数相互抵消，从而产生一个几乎不受温度影响的基准电压，大约为25V。这个名字来源于其输出电压与硅元素的带隙电压相近，尽管实际上设计中并不直接使用带隙电压。

带隙基准电压源的原理是利用半导体材料的带隙能量来产生稳定的参考电压。带隙基准电压源的核心组成部分是一个具有特定带隙能量的半导体材料，如硅或锗。带隙能量是指半导体材料中导带与价带之间的能量差，这个能量差是一个固定的值，对于给定的半导体材料是恒定的。

PN结是带隙基准源的核心，其工作原理基于掺杂半导体中载流子的漂移和扩散。随着温度变化，PN结内的少子密度分布以及电流密度也随之调整。在正向电压作用下，PN结的电流与温度紧密相关，通过一系列复杂的数学关系，我们得以量化这种关联。

带隙基准源的设计原理在于，通过巧妙的电路配置，实现不同温度系数材料或电路间的相互抵消。利用PN结的特性，其中正温度系数与负温度系数的特性相互作用，确保了电路输出的电压基本不受温度变化的影响。