mos管夹断电压（mos管夹断电压是多少）

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mos管夹断电压大于0

1、mos管夹断电压大于0对。放大区就是mos的源级和漏级，大于0v，小于供电电压就是放大区，开关区就是0v和电源电压两个点是开关区，放大区，足Ubs≥Ucs。

2、沟道消失时的栅-源电压称为夹断电压，仍用VP表示。与N沟道结型场效应管相同，N沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP也为负值，但是，前者只能在vGS0的情况下工作。而后者在vGS=0，vGS0，VPvGS0的情况下均能实现对iD的控制，而且仍能保持栅-源极间有很大的绝缘电阻，使栅极电流为零。

3、Vod2=Vds-Vth；如果两种Vod都大于零，说明晶体管沟道全开，也就是处于线性区。只有一种Vod大于零，说明晶体管沟道半开（在DS任意一端没打开有夹断），也就是处于饱和区。

MOS管夹断电压疑惑,而由图片可以得知,VDS此时出于夹断电压的点时VDS=...

1、你应该站在中间那个门极想两边的源极和漏极看，以门极为中心，如果说Vgs大于开启电压时，形成沟道。那么根据CMOS管的对称性，如果加上Vgd是不是也应该是大于开启电压才能有导电沟道形成？所以，你看Vgd是啥？门极漏极之间的电压，也就是电势差。

2、JFET，即结型场效应晶体管，其工作原理中一个关键转折点是夹断电压。当栅极-漏极电压（VDS）逐渐增大，电流ID呈现出一个显著变化点，此时电流几乎不再随VDS增加，进入**饱和区**或**pinch-off region**。这个点标志着电流的恒定状态，类似于BJT的截止区域，但JFET的饱和是通过耗尽区的扩张实现的。

3、因为当沟道被夹断后，继续增加漏源电压（漏极接正端）会使得漏极附近与衬底的耗尽层变宽，导致夹断点逐渐步向源端移动，这时漏端产生的电场会收拢夹断点的电子，形成电流，这个电流和单个pn结反偏时的饱和电流相似，在一定程度上增长的很慢，直到发生击穿。

4、MOS管的夹断区和饱和区的区别是：Uds（漏源电压）和Id（漏极电流）的关系不同：夹断区的Uds增大到一定数值，Id急剧增大；当Uds增大到出现预夹断后，Id几乎不随Uds增大而增大。Id的取值不同：夹断区，当导电沟道完全被夹断时，Id≈0；饱和区Id的数值取决于Ugs（栅源电压）的大小。

5、当电压达到夹断电压时，耗尽层变厚到足以抵消电流随Vds增加的影响，此时JFET进入饱和区。通过调节Vgs，可以精确控制通过源-漏通道的电流，从零电流到饱和电流。JFET的跨导特性展示了栅极-源极电压变化时漏极电流的变化。

mos管在夹断电压下为什么导电

1、因为夹断后它的漏端形成了空间电荷区，由于空间电荷区的高电场作用，在沟道中的电荷当遇到这个区域时会很快的被扫到漏端，即其导电机理。

2、断了当然不到电，但是还会有很小的漏电流。如果从电流的角度可以忽略，认为不导电，但是如果另一端开路电压还是会过去。

3、夹断后，不是完全夹断的。靠近源极，还是有沟道的，靠近漏极的沟道被夹断的。在夹断沟道内，存在比较强的电场，所以对电子还是有很强的吸引作用的。电子会被拉入漏极。形成电流。

4、因为当沟道被夹断后，继续增加漏源电压（漏极接正端）会使得漏极附近与衬底的耗尽层变宽，导致夹断点逐渐步向源端移动，这时漏端产生的电场会收拢夹断点的电子，形成电流，这个电流和单个pn结反偏时的饱和电流相似，在一定程度上增长的很慢，直到发生击穿。

5、夹断区，当导电沟道完全被夹断时，Id≈0；饱和区Id的数值取决于Ugs（栅源电压）的大小。场效应管的状态不同：夹断区也称为截止区，此时MOS（场效应管）管为截止状态；饱和区也称为放大区，MOS管用作放大元件时，都工作在这一区。场效应晶体管简称场效应管。

6、当用作开关管时，MOS管需要在工作在可变电阻区和夹断区状态下。 MOS管相比三极管具有电压控制特性，栅极电流小，压降低，耗散功率小，效率更高。 尽管MOS管在开关应用中具有优势，但其栅电容限制了开关速度，相比BJT，MOS管的开关速度通常较慢。

MOS管的夹断区和饱和区的区别是什么

MOS管的夹断区和饱和区的区别是：Uds（漏源电压）和Id（漏极电流）的关系不同：夹断区的Uds增大到一定数值，Id急剧增大；当Uds增大到出现预夹断后，Id几乎不随Uds增大而增大。Id的取值不同：夹断区，当导电沟道完全被夹断时，Id≈0；饱和区Id的数值取决于Ugs（栅源电压）的大小。

其次，线性区或者称为三极管区，是当栅极电压大于阈值电压，沟道形成，源极和漏极之间导通。此时，NMOS管的行为类似于一个电阻，电流的大小受栅极电压控制。在这个区域，漏极电流和栅极电压呈线性关系，因此也称为线性区。

判断mos工作在放大区，饱和区，截止区，击穿区。以结型N沟道场效应管为例：输出特性曲线中，场管的工作区域分成了三个部分：可变电阻区（对应三极管的饱和区），恒流区（对应三极管的放大区），夹断区，也叫截止区（对应三极管的截止区）。

开关状态工作在可变电阻区（此区相当于饱和导通）和夹断区（此区相当于截止）。放大状态工作在饱和区。注意：MOS管的饱和区和三极管的饱和区，完全不是同一个概念。

mos管怎么工作在恒流区?

mos管V（gs）大于夹断电压Vt时V（ds）之间的电压很小，也就是俗称的导通状态。当不断增加漏极电压是，源极电压不是也在增加吗？怎么样才会让V（ds）之间电压增大使mos工作在恒流状态呢... mos管V（gs）大于夹断电压Vt时V（ds）之间的电压很小，也就是俗称的导通状态。

漏极电源大于预夹断电压：n沟道耗尽型mos管恒流区需要漏极电源大于预夹断电压，沟道才能够完全导通，从而保证恒流区的工作条件。

满足Ucs》Ucs（th）（开启电压），uDs《UGs-Ucs（th），为图中预夹断轨迹左边的区域其沟道开启。在该区域UDs值较小，沟道电阻基本上仅受UGs控制。当uGs一定时，ip与uDs成线性关系，该区域近似为一组直线。这时场效管D、S间相当于一个受电压UGS控制的可变电阻。

a是N沟道场效应管，由Id电流在Re上可能产生自给反向偏压，可能工作在恒流状态。2：b，c是N沟道增强型MOS管，GS要加上正向偏压才能工作，图中所示不可能工作在恒流状态。3：d是P沟道场效应管，由VOO提供正向偏压，电路所示可能工作在恒流状态。

N沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管在开启电压上的差别是什么?_百度...

总的来说，NMOS增强型和耗尽型在开启电压上的差别主要体现在UGS（th）和ugs（off）的定义以及它们的取值范围上。了解这些差异有助于更好地选择和应用这两种类型的NMOS管。

从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。

首先，导电沟道的形成方式不同。增强型MOS管的导电沟道是通过外加电压形成的，当外加电压达到一定值时，沟道区域的电荷浓度增加，形成导电沟道。而耗尽型MOS管的导电沟道在制造过程中就已形成，没有外加电压时也存在一定数量的自由电子或空穴。其次，工作原理不同。

P沟道增强型：当UgsUgs（th）时，开启。这个Ugs（th）是一个负数值，最常见的是在-4V ~ -2V之间。N沟道增强型：当UgsUgs（th）时，开启。这个Ugs（th）是一个正数值，最常见的是在2V ~ 4V之间。耗尽型的管子比较少见。

关键词：mos管夹断电压