三极管导通电压的简单介绍

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三极管的导通电压有:硅管是0.5-0.7V,锗管是0.2-0.3V,这是什么意思啊,是...

三极管的导通电压指的是使其进入导通状态所需的最小电压。对于硅管而言，这个值通常在0.5到0.7伏之间，而锗管的导通电压则在0.2到0.3伏之间。这意味着，当外加电压低于这些数值时，硅管和锗管都处于截止状态，即电流无法通过。

三极管死区电压是指三极管在有截止状态转向放大状态时的电压Ube，一般硅管为0.5V，锗管是0.1V；而导通电压是指三极管处于放大状态时的电压Ube，一般硅管为0.6~0.7V，锗管是0.2-0.3V。

硅管：NPN，基极大于发射极0.7V，但实际使用0.5V左右就导通了 PNP，发射极大于基极0.7V 锗管：NPN，基极大于发射极0.3V PNP，发射基大于基极0.3V 硅材料的NPN三级管工作在饱和区时，集电极和发射极间也会存在0.3V左右的压差。0.3V乘以流过三极管电流可以计算三极管使用中的功率。

一是导通电压不同硅管是0.65V锗管是0.2-0.3V 二是硅管正向电阻较大一般在几千欧。锗管正向电阻在几百欧。硅管的热稳定性好。锗管的热稳定性差 硅半导体材料多。现在的半导体一般都是硅管。锗管很少了。

如何判断三极管的导通状态?

1、Δ表示变化量。），三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。三极管在放大信号时，首先要进入导通状态，即要先建立合适的静态工作点，也叫 建立偏置 ，否则会放大失真。

2、截止状态：当发射结电压小于PN结的导通电压时，三极管失去放大作用，基极和集电极电流均为零，集电极与发射极之间如同开关关闭，即处于截止状态。

3、导通的三极管（NPN型）：如果基极-发射极间电压超过门槛电压，那么它就处于导通状态。但是，如果它的发射极连接到第二个截止状态的三极管的集电极，而这个第二个三极管并没有提供路径让电流通过，那么实际上不会有电流通过导通的三极管的集电极-发射极路径。

4、一般NPN小功率管饱和时集电极电压小于0.5V；大功率NPN管饱和时为1V左右。截止时集电极电压等于电源电压。三极管处于开关状态，只要NPN型三极管满足基极到发射极正偏，电压为0.7V，CE极深度饱和导通，CE极压降很低的，整体电压都加在集电极电阻上，而集电极电流大小决定于集电极电阻大小而定的。

5、三极管有三种工作状态，条件分别为：截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。

三极管的导通电压多大?

硅管：NPN，基极大于发射极0.7V，但实际使用0.5V左右就导通了 PNP，发射极大于基极0.7V 锗管：NPN，基极大于发射极0.3V PNP，发射基大于基极0.3V 硅材料的NPN三级管工作在饱和区时，集电极和发射极间也会存在0.3V左右的压差。0.3V乘以流过三极管电流可以计算三极管使用中的功率。

你说的0.6-0.7V是三极管基极导通电压。根据PN结的特性，在正向导通后，PN结电压与电流基本上呈现指数关系，在一定条件下可以认为PN结电压恒定为0.7V左右，PN结通过的电流只与外电路相关。在这个图中，你只需要知道三极管的BE之间为0.7V，BE的电流需要根据外电路和这个0.7V来计算就可以。

三极管导通电压：锗管为：0.1~0.3V。硅管为：0.6~0.8V。三极管的三个工作状态：截止：Uce约等于电源电压。放大：Uce大于1V小于Uce。饱和：UceI小于1V。

因为三极管饱和导通时三极管的βIb大于实际Ic（βIbIc），因此集电极电流Ic的大小取决于外电路电源电压Ucc除以电路负载电阻RL，即Ic≈Ucc/RL，三极管饱和导通时的压降硅管0.7V，锗管0.3V。三极管的饱和电流。

三极管死区电压和导通电压的区别

三极管死区电压是指三极管在有截止状态转向放大状态时的电压Ube，一般硅管为0.5V，锗管是0.1V；而导通电压是指三极管处于放大状态时的电压Ube，一般硅管为0.6~0.7V，锗管是0.2-0.3V。

在电子电路中，三极管的基极驱动电压需超过特定的死区电压才能使其导通。硅材料三极管的死区电压通常为0.6伏，而锗材料三极管的死区电压则一般为0.3伏。这意味着，对于硅材料的三极管，只要基极驱动电压高于0.6伏左右，就能确保其顺利导通；而对于锗材料的三极管，基极驱动电压只需超过0.3伏即可。

死区电压，就是指这两极加上正向电压，电压由0v伏逐渐升高，直到这两极出现导通时刻的电压（比如是硅管，这一电压值是0.6伏），即0伏到导通电压最低值的这一个电压范围，就是死区电压（比如硅管，死区电压就是0伏到0.6伏的这一电压值范围）。

死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。在二极管正负极间加电压，当电压大于一定的范围时二极管开始导通，这个电压叫开启电压。锗管0.3左右，硅管0.7左右。

不同材料的pn结，二极管，三极管导通电压不同，硅材料三极管，硅材料二极管，硅材料pn结导通电压为0.5-.7伏左右，锗材料pn结，锗材料二极管，锗材料三极管导通电压为0.1-0.3左右。

三极管饱和导通电压

1、三极管饱和导通时的电流是在外电路的电源和负载驱动下流动的，电流方向由电源正极图负载、三极管的ce极流向负极。因为三极管饱和导通时三极管的βIb大于实际Ic（βIbIc），因此集电极电流Ic的大小取决于外电路电源电压Ucc除以电路负载电阻RL，即Ic≈Ucc/RL，三极管饱和导通时的压降硅管0.7V，锗管0.3V。

2、uces是三极管集电极与发射极之间的饱和电压，s代表saturation。uce是三极管集电极与发射极之间的电压。在三极管处于饱和导通的情况下的uce就是uces。此外，三极管的工作状态有三种：截止状态、放大状态、饱和状态。

3、三极管的导通电压是不确定的，因为它是电流控制元件。对于硅三极管，集电极和发射极间的饱和导通电压为0.3V左右，对于锗三极管，集电极和发射极间的饱和导通电压为0.1V左右，但是如果不是处于饱和区而是出于放大区，就不确定了，只能确定集电极电流是基极电流的β倍。

4、从电压上描述是：三极管发射结正向偏置， 集电结零偏置或正向偏置；Ube ≈ 0.7 V，Ubc ≥ 0 V 。从电流上描述是：基极电流乘以放大倍数大于集电极电流：Ib * β Ic ≈ Vcc / Rc，电源电压除以集电极电阻。

关键词：三极管导通电压