锗管的死区电压为（锗的死区电压和管压降）
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锗管死区电压是0.1还是0.2?
当二极管正向电压很低时，外电场还不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动所形成的阻力，此时正向电流很小，二极管呈现很大的电阻。当正向电压超过一定数值（硅管约0.5V，锗管约0.1V）后，二极管电阻变得很小，电流增长很快。这个电压往往称死区电压。
锗二极管导通电压为0.1V-0.3V，一般取0.2V，死区电压为0.1V左右。对于锗二极管 ，开启电压为0.2V，导通电压UD约为0.3V。锗二极管就是用锗材料制作的二极管。几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。
Uon称为死区电压，通常硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为0.1V。当外加正向电压低于死区电压时，外电场还不足以克服内电场对扩散运动的阻挡，正向电流几乎为零。当外加正向电压超过死区电压后，内电场被大大削弱，正向电流增长很快，二极管处于正向导通状态。
二极管的死区电压如何求
1、死区电压是指二极管在加正向电压时，必须达到一定的电压值才会开始导通，这个电压值被称为死区电压。当外加的正向电压较低时，由于外电场还不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动的阻力，因此正向电流很小，几乎为零。只有当正向电压超过一定数值后，内电场被大大削弱，电流增长速度显著加快。
2、二极管的死区电压是指二极管在正向偏置时，其正向电压达到一定程度后才开始导通的电压值。以下是关于二极管死区电压的 死区电压的基本概念 在电子学中，二极管的死区电压是与二极管性能特性紧密相关的一个重要参数。
3、二极管加外正向电压（外加反向电压不能导通的）。加上的正向电压必须大于二极管的死区电压。二极管的死区电压：外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。
什么是二极管死区电压和反向击穿区电压
反向击穿电压是指二极管在反向击穿时所达到的电压值。在反向击穿过程中，反向电流会急剧增加，导致二极管的单向导电性被破坏，甚至可能因过热而损坏。手册中给出的最高反向工作电压VBWM通常是反向击穿电压VBR的一半。理解死区电压和反向击穿电压对于设计和优化电路至关重要，它们直接影响到电路的性能和可靠性。
死区电压是指在二极管应用在具体的电路中时，由于本身的压降，也就是供电电压小于一定的范围时不导通，造成输出波形有残缺，从供电电压经过零点直到输出波形残缺消失的时候，这一段电压就是死区电压，本质上就是二极管的开启电压。当二极管加上正向电压时，便有正向电流通过。
这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。
二极管加外正向电压（外加反向电压不能导通的）；加上的正向电压必须大于二极管的死区电压。二极管的死区电压：外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。
简述二极管的伏安特性
二极管的伏安特性是正向特性。二极管伏安特性曲线的第一象限称为正向特性，它表示外加正向电压时二极管的工作情况。在正向特性的起始部分，由于正向电压很小，外电场还不足以克服内电场对多数载流子的阻碍作用，正向电流几乎为零，这一区域称为正向二极管的伏安特性曲线。死区，对应的电压称为死区电压。
二极管的伏安特性是什么的答案是：正向特性。二极管伏安特性曲线的第一象限称为正向特性，它表示外加正向电压时二极管的工作情况。在正向特性的起始部分，由于正向电压很小，外电场还不足以克服内电场对多数载流子的阻碍作用，正向电流几乎为零，这一区域称为正向二极管的伏安特性曲线。
二极管的伏安特性描述了在不同偏置条件下，二极管电流与电压之间的关系。 当对二极管施加正向电压时，它导通；而在施加反向电压时，二极管截止。 二极管的导通与截止行为，类似于开关的闭合与断开。
二极管伏安的正向特性，理想的二极管，正向电流和电压成指数关系。 但是实际的二极管，加正向电压的时候，需要克服PN结内电压，所以电压要大于内电压时，才会出现电流。这个最小电压称作开启电压。小于开启电压的区域，叫做死区。 当电压大于开启电压，那么电流成指数关系上升。
