三极管的击穿电压（3极管击穿后的电阻是多少）

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三极管三个集的击穿电压的大小...

1、击穿电压：C极--B极 〉C极--E极 〉E极--B极 这是规律。以硅大功率三极管举例：3DD12A C极---B极≥150V C极--E极≥100V E极--B极≥4V （注意：普遍硅大、小功率三极管的E极--B极的击穿电压都在 ≥3V---≥6V 左右。因此常用小功率三极管的eb极作为稳压二极管用。

2、注意：普遍硅大、小功率三极管的E极--B极的击穿电压都在 ≥3V---≥6V 左右。因此常用小功率三极管的eb极作为稳压二极管用。

3、三极管的三个反向击穿电压的关系应该是BVcboBVceoBVebo。首先三极管工作时其发射结一般处于正偏状态，故BVebo反向击穿电压要求不高，通常BVebo20V，是最低的。其次，反向击穿主要是漏电流引起的。集电极-基极漏电流Icbo经过β倍放大后成为集电极-发射极漏电流Iceo，故Iceo=βIcbo，而BVceo就小于BVcbo。

4、三极管的参数中，有三个“击穿电压”，不同型号的管子的数值不同：BVceo：B极开路，C-E极反向击穿电压”。俗称的“耐压”特指它。常用管约20V~2000V。BVcbo ： E极开路，C-B极反向击穿电压。BVcbo比BVceo略大。BVebo ： C极开路，E-B极反向击穿电压。BVebo的数值很小，一般的三极管5V~20V。

5、三极管的击穿是指三极管的PN结不能产生压降限制电流的现象。e是发射极。b是基极。c是集电极。一般pnp型三极管，e接电源正极，b、c接电源负极。npn型管子电源正负正好相反。三极管e和b电压的差距在75v以上。

为什么三极管的eb击穿电压比cb击穿电压小

三极管的eb击穿电压比cb击穿是三极管的eb产生压降小于cb。三极管的击穿是指三极管的PN结不能产生压降限制电流的现象。e是发射极。b是基极。c是集电极。一般pnp型三极管，e接电源正极，b、c接电源负极。npn型管子电源正负正好相反。三极管e和b电压的差距在75v以上。

注意：普遍硅大、小功率三极管的E极--B极的击穿电压都在 ≥3V---≥6V 左右。因此常用小功率三极管的eb极作为稳压二极管用。）打字不易，如满意，望采纳。

首先三极管工作时其发射结一般处于正偏状态，故BVebo反向击穿电压要求不高，通常BVebo20V，是最低的。其次，反向击穿主要是漏电流引起的。集电极-基极漏电流Icbo经过β倍放大后成为集电极-发射极漏电流Iceo，故Iceo=βIcbo，而BVceo就小于BVcbo。所以整个来看就有BVcboBVceoBVebo。

三极管的击穿电压Vebo,是指加上发射极与基极上的击穿电压,请问这个电压...

有极性；对于PNP管，是指b接正、e接负（b高、e低）情况下的击穿电压；对于NPN管，是指e接正、b接负（b低、e高）情况下的击穿电压。

Vebo电压是指极限基极开路电压，也称为晶体管的反向击穿电压。它是用于描述晶体管中基极和发射极之间最大可承受电压值的参数。当这个电压被超过时，会导致晶体管的击穿和损坏。在实际应用中，Vebo电压的重要作用在于选择电子元件。

三极管的耐压有三项指标，集电结反向耐压Vcbo、发射结反向耐压Vebo和和集电极至发射极最大电压Vceo。电流则是指集电极最大电流Icm。Vebo：通常三极管用于放大作用，发射结是正偏的，但有时三极管会工作在开关状态，发射结就要反偏，所以要考虑，发射结反向击穿电压，一般小功率的管子的Vebo能在几个V左右。

发射极与基极之间的反向击穿电压（Vebo）：5V 典型工作结温（Tj）：150C 这些参数描述了三极管13009在不同工作条件下的性能限制。例如，最大集电极耗散功率（Pc）指的是三极管在正常工作条件下，集电极上允许的最大功率损耗，超过此值可能会导致三极管过热损坏。

超过这些电压值可能导致三极管击穿损坏。其中，VCBO为700V表示在基极开路的情况下，集电极与基极之间可以承受的最高电压为700V；VCEO为400V表示在正常工作状态下，集电极与发射极之间可以承受的最高电压为400V。

S9018硅高频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管，属于通用型晶体三极管。具有高功率增益、低噪声特性、大动态范围和理想的电流特性。

三极管三个集的击穿电压的大小是多少?

注意：普遍硅大、小功率三极管的E极--B极的击穿电压都在 ≥3V---≥6V 左右。因此常用小功率三极管的eb极作为稳压二极管用。

注意：普遍硅大、小功率三极管的E极--B极的击穿电压都在 ≥3V---≥6V 左右。因此常用小功率三极管的eb极作为稳压二极管用。）打字不易，如满意，望采纳。

BVceo：B极开路，C-E极反向击穿电压”。俗称的“耐压”特指它。常用管约20V~2000V。BVcbo ： E极开路，C-B极反向击穿电压。BVcbo比BVceo略大。BVebo ： C极开路，E-B极反向击穿电压。BVebo的数值很小，一般的三极管5V~20V。

三极管的三个反向击穿电压的关系应该是BVcboBVceoBVebo。首先三极管工作时其发射结一般处于正偏状态，故BVebo反向击穿电压要求不高，通常BVebo20V，是最低的。其次，反向击穿主要是漏电流引起的。集电极-基极漏电流Icbo经过β倍放大后成为集电极-发射极漏电流Iceo，故Iceo=βIcbo，而BVceo就小于BVcbo。

分别测得两个阻值，一个为几K至几十K，另一个应为无穷大。电容被击穿则说明电容两极短路，用200Ω档测电阻，如果电阻始终是一个很小的值说明击穿。判断三极管好坏，直接用hfe档测，根据型号对应插入NPN或PNP管座，看hfe值，如果非常小说明内部有开路，如果超过量程，说明C-E间击穿。

三极管的击穿是指三极管的PN结不能产生压降限制电流的现象。e是发射极。b是基极。c是集电极。一般pnp型三极管，e接电源正极，b、c接电源负极。npn型管子电源正负正好相反。三极管e和b电压的差距在75v以上。

三极管四种反向击穿电压的解释

1、V（BR）CBO e极开路，c-b结的反向击穿电压。此时流经c-b极的是ICBO。当反向电压VCB增至一定程度时，ICBO急剧增大，最后导致击穿。（2） V（BR）CEO--b极开c-e极之间的反向击穿电压。 此时流经c-e极的是ICEO。当反向电压VCE增加到ICEO开始上升时的VCE就是V（BR）CEO。

2、“ 如果每个脚都两两加压，一共有6种解（接）法 ”---这6种接法中有3种接法是正向接法，不存在“反向击穿”的说法，另3种接法属于反向接法，如下：三极管的参数中，有三个“击穿电压”，不同型号的管子的数值不同：BVceo：B极开路，C-E极反向击穿电压”。俗称的“耐压”特指它。

3、加在发射极e和基极b之间使三极管发生反向击穿的电压叫Uebo。

4、三极管的三个反向击穿电压的关系应该是BVcboBVceoBVebo。首先三极管工作时其发射结一般处于正偏状态，故BVebo反向击穿电压要求不高，通常BVebo20V，是最低的。其次，反向击穿主要是漏电流引起的。集电极-基极漏电流Icbo经过β倍放大后成为集电极-发射极漏电流Iceo，故Iceo=βIcbo，而BVceo就小于BVcbo。

5、有极性；对于PNP管，是指b接正、e接负（b高、e低）情况下的击穿电压；对于NPN管，是指e接正、b接负（b低、e高）情况下的击穿电压。

6、Iceo；三极管穿透电流（也称漏电流）。Iceq；三极管静态工作电流。Uceo；集电极-发射极反向击穿电压（俗称耐压）。Uceq；集电极-发射极静态电压。