电子管
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电子管是一种在气密性封闭容器(一般为玻璃管)中产生电流传导,利用电场对真空中的电子流的作...
N沟MOS晶体管
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N沟MOS晶体管-N沟MOS晶体管
金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管,有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集...
电力MOS场效应晶体管
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电力MOS场效应管
通常主要指绝缘栅型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),简称电力MOSFET(Power MOSFET)
结型电力场效应晶体管...
BJT
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目录·操作模式·顺向主动区(Forward active region)·饱和区(Saturation region)·截止区(Cutoff region)·制作考量·原理与模型·小信号模型 ·h参数模型双载子接面晶体管(Bipolar Junct...
场效应晶体管
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场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(108~109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于...
绝缘栅双极晶体管(IGBT)
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IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是MOS结构双极器件,属于具有功率MOSFET的高速性能与双极的低电阻性能的功率器件。IGBT的应用范围...
双极性晶体管
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目录·简介·操作模式·顺向主动区(Forward active region)·饱和区(Saturation region)·截止区(Cutoff region)·制作考量·原理与模型·小信号模型·h参数模型双载子接面...
电力晶体管
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电力晶体
电力晶体管
管按英文GiantTransistor直译为巨型晶体管,是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管(BipolarJunctionTransistor—BJT),所以有时也称为PowerBJT;其特性有:耐压高...
石墨烯晶体管
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石墨烯晶体管Top 世界上最小的晶体管
硅材料的加工极限一般认为是10纳米线宽。受物理原理的制约,小于10纳米后不太可能生产出性能稳定、集成度更高的产品。然而英国科学家发明的新型晶体管将延长摩尔定律的寿命。该晶体管有...
薄膜晶体管液晶显示器
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目录·架构·种类·TN型液晶加上视角补偿膜(TN+Film)·ASV·IPS·MVA·显示器工业·主要制程TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器)是多数液晶显示器的一种,它使用薄膜晶体管技术改善影象品...